Представлен математический анализ как общих феноменологических закономерностей атомной диффузии в твердых телах, так и специфических особенностей атомной диффузии в полупроводниках, определяемых взаимодействием ионизованных примесей и точечных дефектов с электронно-дырочной подсистемой.
Книга предназначена для научных работников в области физики твердого тела и физической химии, а также для практиков в области материаловедения и технологии полупроводниковых приборов.