Излагается теория переходных процессов в полупроводниковых диодах с р-n-переходом, работающих в режиме переключения, а также описаны основные экспериментальные результаты по рассматриваемой проблеме.
Наиболее подробно проанализирована модель плоскостного диода с полубесконечной базовой областью, так как получающиеся в этом случае основные теоретические формулы имеют наиболее простой и наглядный вид и в то же время качественно справедливы и для диодов других конструкций. Кроме того, рассмотрены плоскостные диоды с малой толщино?? базовой области, а также диоды с малой площадью выпрямляющего контакта и диоды с тормозящим полем в базе.
Для всех рассмотренных моделей диода проведено математическое описание процессов переключения. Даны методы решения основных уравнений, которые могут быть использованы при анализе импульсных режимов, не затронутых в книге.
Получены и проанализированы расчетные формулы, определяющие такие важнейшие характеристики переключательных свойств диодов, как величина накопленного заряда и заряда переключения, времени восстановления обратного с??противления, скорости спада послеинжекционного напряжения, прямого импульсного сопротивления.
Рассмотрена взаимосвязь переходных процессов в диодах с основами теории рекомбинации подвижных носителей заряда в полупроводниках.